أعلنت شركة “سامسونغ” للإلكترونيات يوم الثلاثاء عن تطويرها لشريحة ذاكرة جديدة ذات نطاق ترددي عالٍ، تعتبر “HBM3E 12H” وتتمتع بأعلى سعة في الصناعة حتى الآن. وأكدت الشركة الكورية الجنوبية العملاقة أن هذه الشريحة ترفع الأداء والسعة بنسبة تزيد عن% 50.
وقال يونغ تشول باي، نائب الرئيس التنفيذي لتخطيط منتجات الذاكرة في “سامسونغ” للإلكترونيات: “مع ازدياد الطلب على سعة أعلى من قبل مقدمي خدمات الذكاء الاصطناعي، تم تصميم منتجنا الجديد “HBM3E 12H” لتلبية هذه الاحتياجات”.
تأتي هذه الخطوة في إطار التوجه العام لشركة “سامسونغ” نحو تطوير التقنيات الأساسية لشرائح “HBM” عالية التكديس، وتقديم الريادة التكنولوجية في سوق “HBM” ذات السعة الكبيرة في عصر الذكاء الاصطناعي.
تعد “سامسونغ” للإلكترونيات أكبر منتج لشرائح الذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية في العالم، والتي تستخدم في الأجهزة الاستهلاكية مثل الهواتف الذكية وأجهزة الكمبيوتر.
من ناحية أخرى، بدأت شركة “ميكرون تكنولوجي” إنتاج أشباه الموصلات ذات الذاكرة بتقنية النطاق الترددي العالي (HBM)، حيث قالت إن “HBM3E” ستستهلك طاقة أقل بنسبة 30% مقارنة بالمنتجات المنافسة. ويُتوقع أن تلبي هذه الرقاقات الطلب المتزايد على تشغيل تطبيقات الذكاء الاصطناعي المولدة.
تُعتبر “HBM” منتجًا ربحيًا بشكل كبير لشركة “ميكرون تكنولوجي”، نظرًا للتعقيد الفني الذي يتضمنه بناؤها. وتعتزم “Nvidia” استخدام هذه الشريحة في وحدات معالجة الرسوميات H200 من الجيل التالي، مع توقع بدء شحنها في الربع الثاني، حيث ستتفوق على شريحة H100 الحالية والتي أدت إلى زيادة هائلة في الإيرادات لشركة تصميم الرقائق.